在半導體制造與封裝測試領域，一家深耕高端芯片研發與生產的企業，憑借其技術積累與產品可靠性，持續為全球消費電子、汽車電子及工業控制領域提供核心半導體解決方案。該企業對產品環境耐受性要求嚴格，需通過嚴苛測試驗證器件在極端條件下的性能表現。

近期，該企業再次采購了DHT^?（多禾試驗）冷熱沖擊試驗箱，以進一步提升其研發與品控環節的測試能力。此次復購不僅基于雙方長期合作建立的信任，更源于DHT^?（多禾試驗）冷熱沖擊試驗箱在半導體測試場景中的優異適配性與穩定性：

• 精準溫控：±0.5°C的溫度偏差控制，確保測試條件一致性；

• 快速切換：≤10秒的高低溫轉換效率，滿足JEDEC標準對溫度驟變的要求；

• 長期穩定性：連續千次循環無性能衰減，適配半導體企業高頻測試需求。

一、冷熱沖擊測試

1.試驗目的：驗證芯片封裝與器件在溫度驟變下的結構穩定性與功能可靠性。
2.試驗流程：

• 樣品預處理：將封裝后的芯片或模塊固定在試驗箱載物架上，確保表面無遮擋。

• 高溫暴露：5分鐘內將箱內溫度升至+150°C，保持30分鐘，使樣品內部溫度均勻。

• 快速切換：10秒內切換至低溫區，溫度降至-65°C并維持30分鐘，確保樣品充分冷卻。

• 循環測試：重復高低溫切換500次以上，模擬長期極端環境下的使用場景。

• 結果評估：通過X射線檢測、電性能測試及剖面顯微觀察，確認封裝開裂、焊點斷裂或電氣參數偏移等問題。

3.執行標準：JEDEC JESD22-A104-b

二、 熱應力測試

1.試驗目的：評估半導體材料（如晶圓或基板）在熱脹冷縮下的機械應力耐受能力。
2.試驗流程：

• 樣品固定：將晶圓或基板通過夾具固定，避免測試過程中位移誤差，確保其在復雜環境中的可靠性。

• 梯度溫變：設定溫度從+125°C（保持20分鐘）切換至-55°C（保持20分鐘），切換時間≤3分鐘。

• 實時監測：通過傳感器實時監測樣品在溫度變化過程中的應力變化，記錄其變形、開裂或分層情況。      

• 循環驗證：連續進行300次循環后，使用激光掃描儀檢測表面微裂紋或翹曲變形。

• 失效分析：測試結束后，對樣品進行微觀結構分析（如SEM掃描電鏡觀察），評估其內部是否存在裂紋、空洞等缺陷。

3.執行標準：IPC-TM-650 2.4.24

三、濕熱循環測試

1.試驗目的：評估半導體器件在高濕度和溫度變化環境下的耐候性和可靠性，特別是針對封裝材料的防潮性能。
2.試驗流程：

• 預處理：將樣品置于25°C、50%濕度環境中平衡24小時。

• 濕熱階段：升溫至85°C并提升濕度至85%RH，維持8小時，加速濕氣滲透。

• 干燥冷卻：在1小時內將溫濕度降至-40°C、30%RH，保持8小時以模擬干燥環境。

• 循環測試：完成50次濕熱循環后，取出樣品進行72小時常溫恢復。

• 性能檢測：通過絕緣電阻測試（500VDC）、超聲波掃描（SAT）及開封分析，確認內部是否出現腐蝕、分層或引線鍵合失效。

3.執行標準：IEC 60068-2-38：2009

通過復購DHT^?（多禾試驗）冷熱沖擊試驗箱，該企業進一步強化了其芯片與封裝器件的失效分析能力，為產品在復雜應用場景中的可靠性提供了堅實的數據支撐。作為行業領先的測試設備供應商，DHT^?（多禾試驗）將持續以專業化的測試方案助力半導體行業客戶應對技術挑戰，推動行業發展邁向更高水平。